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大多数过渡金属硫化物(TMDs)的催化活性位点往往在材料的边缘之前报道过的MoS2在其晶体和无定形形式中,伏渔都具有良好的电催化活性。都变电站低浓度的NaClO溶液各向异性地将MoS2刻蚀成特殊形状。
优化的ca-MoS2粉末,完成防表现出增强的HER性能,在0.5mA·cm-2的电流密度下,具有0.34V的过电势,Tafel斜率均小于其他材料。该化学蚀刻方法为在原子结构修饰TMDs提供了一种新方法,系统可以调控层状TMDs电化学性质和新型晶体管制造。在该实验中,升级化学活化的MoS2(ca-MoS2)被系统地表征和优化。
对于无缺陷的MoS2晶体,改造刻蚀从样品边缘开始。【成果简介】近日,浙江舟山中国湖南大学的王双印教授和刘松教授,浙江舟山以及新加坡国立大学的SlavenGaraj教授(通讯作者)等人,开发了一种有效的、可扩展的方法,用次氯酸钠(NaClO)溶液各向异性蚀刻MoS2,显著地改变其边缘结构。
缺陷工程可以获得MoS2基面上的高密度三角形凹坑,伏渔增加了材料的电催化活性位点。
本文展示了一种简单且非侵蚀性的方法,都变电站用次氯酸钠(NaClO)溶液各向异性地蚀刻MoS2,借助O2plasma预处理,在其表面制备大量的HER活性位点完成防下面我们一起来看看吧。
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